檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "光電工程研究所".dept (精準) and ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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顯示器在日常生活中的應用越來越廣泛，其應用包含高畫素大尺寸主動矩陣式有機發光二極體顯示器、虛擬時境及互動式顯示器，這些下一世代的顯示器皆具備高畫素密度，而金屬氧化物薄膜電晶體搭配傳統的二氧化矽閘極絕…
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本論文針對目前市場上較具有延伸性潛力的薄膜電晶體分別提出兩套新式的製程技術並加以優化達到降低成本與高穩定的電特性。首先，金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，因為要考慮到光罩間對位的誤…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中，因為要考慮到光罩間對位的誤差，而將其汲極和源極設計成與閘極各有…